Transistor Dual Q1 (B2-189) para Amplificador TPL PA31AC Características Principales Transistor RF de potencia N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Frecuencia máxima: 175 MHz Potencia de salida: 50 W Voltaje de alimentación: 12.5 V Ganancia: 14.5 dB Eficiencia: 55% Tensión de umbral (VGS(th)): 1-3 V Resistencia de on-state (RDS(on)): 0.5 Ω Paquete plástico con capacidad hasta 200°C Características Avanzadas Diseñado para aplicaciones comerciales e industriales Alta estabilidad térmica Capaz de manejar VSWR de 20:1 Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande Amplia banda: 135-175 MHz Paquete TO-272-6 plástico Cumple con RoHS (sin plomo) Capacitancia de entrada (Ciss): 500 pF Capacitancia de salida (Coss): 250 pF Capacitancia de transferencia inversa (Crss): 35 pF Ratings Máximos Voltaje drenador-fuente (VDSS): -0.5 a +40 Vdc Voltaje compuerta-fuente (VGS): ±20 Vdc Corriente de drenador (ID): 12 Adc Disipación total del dispositivo (PD): 165 W @ TC = 25°C Derating: 0.50 W/°C por encima de 25°C Rango de temperatura de almacenamiento: -65 a +150 °C Temperatura de unión: 200 °C Características Térmicas Resistencia térmica (RθJC): 0.75 °C/W Clasificación de sensibilidad a la humedad: Nivel 3 Temperatura máxima de pico: 260 °C Temperatura de unión: 200 °C Características Eléctricas Corriente de fuga drenador-fuente (IDSS): ≤1 μAdc Corriente de fuga compuerta-fuente (IGSS): ≤0.5 μAdc Capacitancia de entrada (Ciss): 500 pF Capacitancia de salida (Coss): 250 pF Capacitancia de transferencia inversa (Crss): 35 pF RF Características Ganancia de potencia (Gps): 14.5 dB Eficiencia: 55% Impedancia de entrada: 4.1 + j0.5 Ω @ 135 MHz Impedancia de salida: 1.0 + j0.6 Ω @ 135 MHz Frecuencia de prueba: 175 MHz Diseño y Aplicaciones Diseñado para aplicaciones en banda ancha (135-175 MHz) Adecuado para equipos móviles de FM a 12.5 V Requiere disipación térmica adecuada en el diseño Tecnología Lateral RF Power MOSFET con alta ganancia Protección contra voltaje transitorio mediante circuito externo Circuito de polarización de compuerta mediante divisor resistivo Capaz de operar con cargas desajustadas Consideraciones de Manejo Requiere precauciones contra descarga electrostática No dejar la compuerta abierta o flotante Recomendado para montaje superficial automático Máxima corriente de polarización: 500 mA Requiere circuito de protección externo para la compuerta Uso de resistencia para mantener baja impedancia compuerta-fuente Especificaciones de Prueba Las pruebas se realizaron con las siguientes condiciones: Voltaje de alimentación (VDD): 12.5 Vdc Corriente de polarización (IDQ): 500 mA Potencia de salida (Pout): 50 W Frecuencia de prueba: 175 MHz Información de Fabricación Paquete: TO-272-6 PLASTIC Estilo de paquete: CASE 1264A-03, STYLE 1 Empaque: Cinta y carrete (500 unidades por carrete de 44 mm) Conformidad: RoHS, sin plomo (sufijo N) Parámetros S Comunes A 12.5 Vdc, IDQ = 500 mA: S11: 0.95 -178° @ 175 MHz S21: 1.349 61° @ 175 MHz S12: 0.008 -8° @ 175 MHz S22: 0.90 -174° @ 175 MHz