checklistCaracterísticas
- checkAlta ganancia de potencia de 11 dB
- checkEficiencia del 55% en operación RF
- checkOperación estable hasta 520 MHz
- checkExcelente estabilidad térmica integrada
- checkSoporta VSWR 20:1 en condiciones extremas
- checkEncapsulado SMD para montaje superficial
SYSCOM PARTS
Transistor de RF / FET Canal N / 8 W / 520 MHz / 7.5 Vcc / SMD
SKU: MRF-1517-T1
checklistCaracterísticas
- checkAlta ganancia de potencia de 11 dB
- checkEficiencia del 55% en operación RF
- checkOperación estable hasta 520 MHz
- checkExcelente estabilidad térmica integrada
- checkSoporta VSWR 20:1 en condiciones extremas
- checkEncapsulado SMD para montaje superficial
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verifiedGarantía: 3 años
scalePeso: 0.01 kg
straightenH:10mm · L:10mm
package_2Peso volumétrico: 0 mg
descriptionDescripción
folder_openRecursos y Documentación
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